Resumen

Resulta difícil depositar una capa a-Si:H extremadamente fina en una célula solar de heterounión con capa fina intrínseca (HIT) debido a los daños térmicos y al difícil control del proceso. El objetivo de este estudio es comprender el mecanismo de pasivación de óxido de la superficie de silicio mediante el proceso de oxidación térmica rápida (RTO) examinando el tiempo de vida efectivo de la superficie y la velocidad de recombinación superficial. La presencia de una fina capa aislante de a-Si:H es la clave para obtener una alta Voc mediante la reducción de la corriente de fuga (I0) que mejora la eficiencia de la célula solar HIT. La capa ultrafina de óxido de silicio (SiO2) de pasivación térmica se depositó mediante el sistema RTO en el rango de temperaturas de 500-950°C durante 2 a 6 minutos. El espesor de la capa de óxido de silicio se vio afectado por la temperatura de recocido RTO y el tiempo de tratamiento. El mejor valor de velocidad de recombinación superficial se registró para la muestra tratada a una temperatura de 850°C durante 6 minutos a un caudal de O2 de 3 Lpm. Se obtuvo una velocidad de recombinación superficial inferior a 25 cm/s para la capa de óxido de silicio de 4 nm de espesor. Esta capa ultrafina de SiO2 se empleó para la fabricación de la estructura de célula solar HIT en lugar de la capa a-Si:H, (i) y se aprovecharon los efectos de pasivación y tunelización de la capa de óxido de silicio. La fotocorriente disminuyó con el aumento de la intensidad de iluminación y del espesor de SiO2.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:capa de óxido de silicio, velocidad de recombinación superficial, golpe, capa, capa h, célula solar, óxido de silicio de pasivación térmica ultrafina, velocidad de flujo de o2, capa intrínseca delgada, mecanismo de pasivación del óxido
• Keywords:silicon oxide layer, surface recombination velocity, hit, layer, h layer, solar cell, ultrathin thermal passivation silicon oxide, o2 flow rate, intrinsic thin layer, oxide passivation mechanism