Resumen

Este estudio investiga los efectos de la radiación de neutrones en las características I-V (dependencia de la corriente respecto a la tensión) de dispositivos optoelectrónicos comerciales (fotodiodos de silicio, fototransistores y paneles solares). Las características corriente-voltaje de las muestras se midieron a temperatura ambiente antes y después de la irradiación. Los diodos se irradiaron utilizando una fuente de neutrones Am-Be con una emisión de neutrones de 2,7×106 n/s. Los resultados mostraron una disminución de la fotocorriente en todas las muestras que podría deberse a la existencia de defectos de desplazamiento inducidos por neutrones introducidos en la red del semiconductor. También se ha observado el proceso de recocido. Se ha realizado un análisis comparativo de los resultados de las mediciones con el fin de determinar la fiabilidad de los dispositivos optoelectrónicos en entornos de radiación.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Optoelectrónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Optoelectronics
• Palabras claves:fuente de neutrones, dispositivos optoelectrónicos comerciales, muestras, características v, análisis comparativo, dependencia de la corriente, defectos de desplazamiento, resultados de mediciones, emisión de neutrones, radiación de neutrones
• Keywords:be neutron source, commercial optoelectronic devices, samples, v characteristics, comparative analysis, current dependance, displacement defects, measurement results, neutron emission, neutron radiation