Se depositaron películas delgadas de Cu2ZnSnS4 (CZTS) utilizando la técnica de cosputtering. Se optimizaron parámetros de crecimiento tales como presión de trabajo y atmósfera luego del recocido. Se llevó a cabo un estudio comparativo entre la etapa posterior al recocido utilizando vapor de azufre en un horno de tubo de cuarzo y una cámara de sulfuración utilizando H2S para optimizar la fase kesterita. Un recocido en vapor de azufre por 10 min a 530ºC en el horno eliminó todas las fases secundarias. La difusión de azufre en la película durante el recocido mejoró su cristalinidad.
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