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Effect of Growth Parameters and Annealing Atmosphere on the Properties of Cu2ZnSnS4 Thin Films Deposited by CosputteringEfecto de los parámetros de crecimiento y de la atmósfera de recocido sobre las propiedades de películas delgadas de Cu2ZnTiS4 depositadas mediante cosputtering

Resumen

Se depositaron películas delgadas de Cu2ZnSnS4 (CZTS) utilizando la técnica de cosputtering. Se optimizaron parámetros de crecimiento tales como presión de trabajo y atmósfera luego del recocido. Se llevó a cabo un estudio comparativo entre la etapa posterior al recocido utilizando vapor de azufre en un horno de tubo de cuarzo y una cámara de sulfuración utilizando H2S para optimizar la fase kesterita. Un recocido en vapor de azufre por 10 min a 530ºC en el horno eliminó todas las fases secundarias. La difusión de azufre en la película durante el recocido mejoró su cristalinidad.

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  • Formato:pdf
  • Idioma:Inglés
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Información del documento

  • Titulo:Effect of Growth Parameters and Annealing Atmosphere on the Properties of Cu2ZnSnS4 Thin Films Deposited by Cosputtering
  • Autor:Khalkar, Arun; Lim, Kwang-Soo; Yu, Seong-Man; Patole, Shashikant P.; Yoo, Ji-Beom
  • Tipo:Artículo
  • Año:2013
  • Idioma:Inglés
  • Editor:International Journal of Photoenergy / Hindawi Publishing Corporation
  • Materias:Materiales Ingeniería de la producción
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