Resumen

Se investiga la influencia del contenido de hidrógeno en el silicio amorfo hidrogenado intrínseco (i-a-Si:H) sobre el rendimiento de las células solares de heterounión (HJ). El resultado de la simulación muestra que en el rango de 0-18% del contenido de hidrógeno en la capa i, las células solares con mayor contenido de hidrógeno en la capa i pueden tener un mayor grado de pasivación de enlaces colgantes en la superficie de silicio monocristalino (c-Si). Además, el resultado experimental muestra que las células solares HJ con un bajo contenido de hidrógeno presentan una interfaz a-Si:H/c-Si deteriorada. Se supone que la interfaz deteriorada se atribuye a (i) huecos creados por enlaces colgantes superficiales de c-Si insuficientemente pasivados, (ii) huecos formados por cúmulos de SiH2, y (iii) partículas de Si causadas por la formación de partículas en fase gaseosa en el plasma de silano. La hipótesis propuesta está bien fundamentada y explicada desde el punto de vista del plasma mediante espectroscopia de emisión óptica.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Optoelectrónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Optoelectronics
• Palabras claves:contenido en hidrógeno de la capa, células solares, formación de partículas en fase gaseosa, bajo contenido en hidrógeno, espectroscopia de emisión óptica, silicio monocristalino, huecos, interfaz si, partículas si, superficie si
• Keywords:layer hydrogen content, solar cells, gas phase particle formation, low hydrogen content, optical emission spectroscopy, single crystalline silicon, voids, si interface, si particles, si surface