Los autores de esta investigación diseñaron dos nuevos semiconductores cuaternarios Cu2ZnTiSe4 y Cu2ZnTiS4 tipo I2-II-IV-VI4 y estudiaron sistemáticamente sus estructuras cristalina y electrónica empleando cálculos de primeros principios de estructura electrónica. Entre las estructuras cristalinas consideradas, se confirmó que las brechas energéticas (band gaps) de Cu2ZnTiSe4 y Cu2ZnTiS4 se originaban de la banda de valencia 3d de Cu totalmente ocupada y la banda conductora 3d de Ti; asimismo, la estructura de la kesterita debía estar en su estado fundamental.
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