Se ha utilizado un blanco cerámico de tinoxido de indio (ITO) (90% In2O3-10%SnO2) para preparar películas delgadas semiconductoras transparentes sobre sustrato de vidrio mediante pulverización catódica por magnetrón de RF a temperatura ambiente. Las propiedades de las películas delgadas se ven afectadas por el control de los parámetros de deposición, a saber, los valores de potencia de RF y los tiempos de deposición. La estructura, morfología y propiedades ópticas y eléctricas de las películas delgadas se investigan mediante difracción de rayos X (DRX), microscopio electrónico de barrido por emisión de campo (FESEM), microscopio de fuerza atómica (AFM), espectrofotómetro UV-Vis y medición con sonda de cuatro puntos. Las nanopartículas de 10-20 nm se miden y confirman mediante FESEM y AFM. Las principales orientaciones preferidas de las láminas delgadas preparadas son (222) y (400) de la estructura cúbica ITO. Las películas semiconductoras transparentes presentan una elevada transmitancia en el rango visible de valores 80-90
y una resistividad de aproximadamente 1,62×10-4 Ω-cm.
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