Se describe la fabricación de películas de silicio policristalino (poli-Si) de 1,25 μm de espesor mediante cristalización inducida por aluminio (AIC) en dos etapas para su aplicación en células solares de película fina. La película de poli-Si de 250 nm de espesor inducida en la primera etapa se utiliza como capa semilla para la cristalización de una película de silicio amorfo (a-Si) de 1 μm de espesor en la segunda etapa. Las temperaturas de recocido en las dos etapas son ambas de 500°C. El efecto del tiempo de recocido (15, 30, 60 y 120 minutos) en la segunda etapa sobre la cristalización de la película de a-Si se investiga mediante difracción de rayos X (DRX), microscopía electrónica de barrido y espectroscopía Raman. Los resultados de DRX y Raman confirman que las películas de poli-Si inducidas lo son mediante el proceso propuesto.
Esta es una versión de prueba de citación de documentos de la Biblioteca Virtual Pro. Puede contener errores. Lo invitamos a consultar los manuales de citación de las respectivas fuentes.
Artículo:
Diodo orgánico emisor de luz con color regulable entre el blanco azulado de la luz diurna y el blanco anaranjado del crepúsculo
Artículo:
Visión general de los mecanismos de muerte celular inducidos por la terapia fotodinámica con acetato de rosa de bengala
Artículo:
Estudio de la inestabilidad del flujo bifásico en el tubo absorbedor de calor del colector solar de canal
Artículo:
Detección de efectos de degradación en células solares c-Si envejecidas en campo mediante termografía IR y procesamiento digital de imágenes
Artículo:
Síntesis, caracterización y fotocatálisis de nanopartículas de TiO2 anatasa de fase pura bien dispersables
Libro:
Metodología del marco lógico para la planificación, el seguimiento y la evaluación de proyectos y programas
Presentación:
Estudio de movimientos y tiempos
Artículo:
Estudio sobre la evaluación de la sostenibilidad de los productos innovadores
Tesis:
Materiales y prácticas de construcción sostenible