Hemos investigado experimentalmente la fotoluminiscencia potenciada por plasmones de los dispositivos emisores de luz (LED) de puntos cuánticos de silicio amorfo (a-Si QDs) con las nanoestructuras sándwich Ag/SiOx:a-Si QDs/Ag, a través del acoplamiento entre los a-Si QDs y el modo de polaritones de plasmones superficiales localizados (LSPPs), sintonizando una rejilla de Ag unidimensional (1D) en la parte superior. El acoplamiento de los plasmones superficiales en las interfaces Ag/SiOx:a-Si QDs superior e inferior dio lugar a los polaritones plasmónicos superficiales localizados (LSPPs) confinados bajo las líneas de Ag, que presentan la resonancia Fabry-Pérot. A partir del espectro Raman, se demuestra la existencia de QDs de a-Si incrustados en una película de SiOx rica en Si (SiOx:QDs de a-Si) a una temperatura de recocido baja (300°C) para evitar la posible difusión de átomos de Ag desde la película de Ag. Se investigaron los espectros de fotoluminiscencia (PL) de los QDs de a-Si que pueden ajustarse con precisión mediante una rejilla de Ag 1D con diferentes pasos y anchuras de línea de Ag. Se encontró que una estructura de rejilla de Ag optimizada, con un paso de 500 nm y una anchura de línea de Ag de 125 nm, conseguía una mejora de PL de hasta 4,8 veces a 526 nm y una intensidad integrada de PL de 2,46 veces en comparación con los LEDs de a-Si QDs sin estructura de rejilla de Ag, debido al fuerte acoplamiento de a-Si QDs-LSPPs.
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