Las películas delgadas de CdS nanoestructuradas y dopadas con Ag se cultivan mediante una técnica sencilla y económica de intercambio químico de iones a temperatura ambiente sobre un sustrato de vidrio recubierto de ITO. Estas películas finas crecidas se recocieron a 100, 200, 300 y 400°C en atmósfera de aire durante 1 hora. Para estudiar el efecto del recocido en las propiedades fisicoquímicas y optoelectrónicas, estas películas delgadas crecidas y recocidas se caracterizan por sus propiedades estructurales, de composición, morfológicas, ópticas y eléctricas. El patrón de difracción de rayos X (DRX) revela la naturaleza policristalina de estas láminas delgadas con un aumento del tamaño de los cristalitos de 6,4 a 11,2 nm, a partir de la DRX no se puede juzgar la identificación directa del dopaje de Ag en las láminas delgadas de CdS, mientras que se observa un cambio en la posición del pico característico de CdS. El espectro Raman muestra un aumento de la anchura total a la mitad del máximo y de la intensidad del pico característico, lo que confirma la modificación del material tras el tratamiento de recocido. La presencia de Cd, Ag y S en los espectros de análisis por dispersión de energía de rayos X (EDAX) confirma la composición elemental esperada en las películas delgadas. Las imágenes de microscopía electrónica de barrido (SEM) muestran el crecimiento del grano y la aglomeración tras el recocido. Se obtiene un desplazamiento al rojo de la intensidad de la absorbancia óptica y de los valores de la banda de energía de 2,28 a 2,14 eV. La respuesta I-V obtenida a partir de las películas delgadas crecidas y recocidas muestra un aumento de la fotosensibilidad del 72% al 96% tras la iluminación con una fuente de luz de 100 mW/cm2.
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