Se depositaron películas de óxido de aluminio sobre sustratos de silicio cristalino mediante pulverización catódica reactiva por magnetrón de RF. Se han investigado las influencias de los parámetros de deposición sobre la pasivación superficial, el daño superficial, las propiedades ópticas y la composición de las películas. Se ha comprobado que una potencia de sputtering adecuada y un campo magnético uniforme reducen el daño superficial causado por el bombardeo de iones de alta energía sobre las obleas de silicio durante el proceso y, en consecuencia, disminuyen la densidad de trampas en la interfaz, lo que da lugar a una buena pasivación superficial; un índice de refracción relativamente alto de la película de óxido de aluminio es beneficioso para mejorar la pasivación superficial. La película de óxido de aluminio con carga negativa se preparó con éxito. El rendimiento de la pasivación superficial se mejoró aún más después del post-secado mediante la formación de una capa interfacial de SiOx. Se demuestra que el sputtering reactivo es una técnica eficaz para fabricar películas de óxido de aluminio de pasivación superficial para células solares de silicio cristalino de alta eficiencia y bajo coste.
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