Resumen

Se desarrolló un proceso de deposición sol-gel capa a capa sin sulfurización. Se prepararon películas de CZTS de 1,2 μm con una proporción de azufre de ~48% y se midieron sus características. Las películas depositadas y recocidas tienen estructura Kesterita. Las películas as-depositadas no presentan un tipo de conducción eléctrica evidente. Sin embargo, la película 9-LAY-ANN recocida es de conducción tipo p y tiene una resistencia de lámina de 4,08 kΩ/□ y una resistividad de 4,896 × 10-1 Ω-cm. La brecha de energía óptica es de 1,50 eV para las películas tal como se depositan y es de 1,46 eV después de ser recocidas. La región depositada utilizando la solución Lo-Con es más compacta que la de la solución Hi-Con a partir de imágenes de morfología SEM.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:películas, solución con, tipo de conducción eléctrica obvia, imágenes de morfología sem, brecha de energía óptica, película ann, películas czts, estructura kesterite, deposición gel, capa sol
• Keywords:films, con solution, obvious electric conduction type, sem morphology images, optic energy gap, ann film, czts films, kesterite structure, gel deposition, layer sol