Se prepararon películas delgadas de óxido de zinc dopado con indio (IZO) mediante pirólisis ultrasónica por pulverización (USP) de bajo coste. Se consiguió una baja resistividad (3,13×10-3 Ω cm) y una transmitancia directa media (400~1500 nm) de aproximadamente el 80% de las películas IZO. Las películas IZO se investigaron como ánodos en dispositivos fotovoltaicos orgánicos (OPV) de heterounión masiva basados en poli(3-hexiltiofeno) y éster metílico del ácido [6,6]-fenil C61-butírico. El dispositivo fabricado sobre un sustrato de vidrio recubierto con una película de IZO mostró una tensión de circuito abierto de 0,56 V, una corriente de cortocircuito de 8,49 mA cm-2, un factor de llenado de 0,40 y una eficiencia de conversión de potencia del 1,91%, lo que demuestra que las películas de IZO preparadas mediante la técnica USP son candidatos prometedores para dispositivos OPV de bajo coste, transparentes y con bajo contenido en In.
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