Se investigó la conducción eléctrica y las propiedades de conmutación bipolar de las células de memoria de acceso aleatorio resistivo (RRAM) con películas delgadas transparentes de titanato de bismuto cálcico (CaBi4Ti4O15-CBTi144). Experimentalmente, las películas delgadas de CBTi144 orientadas a (119) se depositaron sobre sustratos de ITO/vidrio mediante sputtering de magnetrón de RF seguido de un recocido térmico rápido (RTA) a una temperatura de 450-550°C. Las morfologías superficiales y las estructuras cristalinas de las películas delgadas de CBTi144 se examinaron mediante microscopía electrónica de barrido de emisión de campo y mediciones de difracción de rayos X. En este trabajo se analizó la relación de encendido/apagado y los comportamientos de conmutación de los dispositivos RRAM transparentes de Al/CBTi144/ITO/vidrio.
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