Las capas epitaxiales de Al1-xInxN de 150 nm de grosor, orientadas a (0001), se cultivaron mediante deposición química de vapor de metales orgánicos sobre una plantilla de GaN (2,3 µm) y un sustrato de zafiro (0001). La concentración de indio (x) de las capas epitaxiales de Al1-xInxN se modificó como 0,04, 0,18, 0,20, 0,47 y 0,48. El contenido de indio (x), los parámetros de red y los valores de deformación en las capas de AlInN se calcularon a partir del mapeo recíproco de la red alrededor de la reflexión simétrica (0002) y asimétrica (10-15) de las capas de AlInN y GaN. Las características de la estructura de mosaico de las capas de AlInN, como las longitudes de coherencia lateral y vertical, el ángulo de inclinación y de torsión, la deformación heterogénea y las densidades de dislocación (dislocaciones de tipo borde y tornillo) de las epiláminas de AlInN, se investigaron utilizando mediciones de difracción de rayos X de alta resolución y con una combinación del gráfico de Williamson-Hall y el ajuste de los ángulos de torsión.
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