Resumen

Este artículo describe el papel del Ge como facilitador de emisores de luz en una plataforma de Si. A pesar del gran desajuste reticular de ~4,2 et entre el Ge y el Si, es posible cultivar epitaxialmente capas de Ge de alta calidad sobre Si mediante deposición química en fase vapor en vacío ultraalto. Se revisan las aplicaciones de las capas de Ge a emisores de luz infrarroja cercana con diversas estructuras, incluyendo la epilámina de Ge tensada, la epilámina de Ge con una capa de SiGe de dopaje delta y los pozos cuánticos múltiples de Ge/SiGe sobre Si. Se discuten brevemente los fundamentos de la física de la fotoluminiscencia en las diferentes estructuras de Ge.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:ge epilayer, deposición química de vapor al vacío, diferentes estructuras ge, emisores de luz infrarroja, gran desajuste reticular, múltiples pozos cuánticos, capas ge de calidad, capas ge, plataforma si, capa sige
• Keywords:ge epilayer, vacuum chemical vapor deposition, different ge structures, infrared light emitters, large lattice mismatch, multiple quantum wells, quality ge layers, ge layers, si platform, sige layer