Para la fabricación de fotodetectores ultravioleta (UV-PD) de heterounión Cu2O/ZnO (HJ) se ha utilizado una película de ZnO cuasimonocristalina cultivada mediante el método de crecimiento hidrotérmico. La HJ se formó mediante la deposición por pulverización catódica de Cu2O tipo p sobre una película de ZnO de crecimiento hidrotérmico (película HTG-ZnO). Se estudió el efecto de la temperatura de recocido en un ambiente de nitrógeno sobre los espectros de fotoluminiscencia de la película de ZnO sintetizada. Se determinaron las propiedades optoelectrónicas de la película de Cu2O/ZnO con distintos grosores de Cu2O (250-750 nm) bajo luz UV (365 nm; intensidad: 3 mW/cm2). La sensibilidad a la luz ultravioleta de los DPU basados en la película HTG-ZnO y los DPU basados en la película de ZnO bombardeada fue de 55,6 veces (SHTG) y 8,8 veces (Ssputter), respectivamente. El aumento significativo de la sensibilidad (SHTG/Ssputter = 630%) del dispositivo basado en película de ZnO propuesto en comparación con el dispositivo basado en película pulverizada puede atribuirse a la mejora de las propiedades fotoeléctricas de la película de ZnO cuasimonocristalina.
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