En el silicio dopado con boro y recocido en un ambiente de plasma (a 150°C), el perfil de concentración de hidrógeno y el perfil de agujeros reportados no pueden ajustarse simultáneamente asumiendo sólo un tipo de iones de hidrógeno in-difusos H de un parámetro definido D K (donde D es la difusividad de H y K es la constante de disociación de equilibrio del defecto HB, el boro pasivado). Un buen ajuste sólo es posible suponiendo dos tipos independientes de H -uno de un valor mayor de D K y el otro de un valor menor. El concepto de dos subsistemas atómicos independientes H(1) y H(2), cada uno de los cuales implica estados de carga positiva y neutra, también es útil para explicar el emparejamiento del hidrógeno en dímeros.
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