Se sintetizaron nanopartículas de Cu(In,Ga)S2 mediante un método de inyección en caliente en un ambiente de bajo vacío, que se imprimieron y se recocieron con vapor de Se para células solares de Cu(In,Ga)(S,Se)2 . Las nanopartículas de Cu(In,Ga)S2 tenían unos 14 nm, y la tinta estable se obtuvo dispersando las nanopartículas en hexanotiol. La cristalinidad de las películas de Cu(In,Ga)(S,Se)2 aumentaba con el incremento de la temperatura de recocido. Las células solares de Cu(In,Ga)(S,Se)2 grabadas con KCN después del recocido mostraron mejores propiedades fotovoltaicas que las grabadas con KCN antes del recocido y sin grabar. La mejor célula se observó a una temperatura de recocido de 540°C y con grabado KCN después del recocido; los parámetros de esta célula fueron una densidad de fotocorriente de cortocircuito de 27,12 mA/cm2, una tensión de circuito abierto de 0,42 V, un factor de llenado de 0,38 y una eficiencia de conversión del 4,3%.
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