Hemos fabricado una heterounión de La0,4Ca0,6MnO3/SiOx/n-Si y hemos investigado su transporte electrónico y sus propiedades fotovoltaicas ultravioletas a temperaturas más altas, hasta 673 K. Los comportamientos rectificadores desaparecieron con la evolución de la estructura de la banda energética de 300 a 673 K. Bajo la irradiación de un pulso láser de 248 nm, los valores pico de la fototensión de circuito abierto y la fotocorriente de cortocircuito disminuyeron drásticamente. Esta comprensión del comportamiento corriente-voltaje relacionado con la temperatura y la fotodetección ultravioleta de heteroestructuras de óxido debería abrir una vía para idear futuros dispositivos microelectrónicos que funcionen a alta temperatura. PACS: 73.40.Lq, 71.27. a, 73.50.Pz.
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