Este artículo presenta el comportamiento de varios dispositivos optoelectrónicos tras la irradiación gamma. Varios fotodiodos PIN, fototransistores y paneles solares han sido expuestos a la irradiación gamma. En el experimento se utilizaron varios tipos de fotodiodos y fototransistores. Se han medido las características I-V (dependencia de la corriente respecto a la tensión) de estos dispositivos antes y después de la irradiación. También se ha observado el proceso de recocido. Se ha realizado un análisis comparativo de los resultados de las mediciones para determinar la fiabilidad de los dispositivos optoelectrónicos en entornos de radiación.
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