El coeficiente de absorción a 1,4 eV se divide por el valor a 0,9 eV para obtener el factor utilizado para juzgar la calidad de μc-Si:H. El rendimiento del dispositivo fotovoltaico puede predecirse multiplicando Voc por Isc cuando se utiliza esta capa como capa intrínseca. Los resultados muestran una buena relación entre el factor de calidad y el producto de la tensión de circuito abierto y la corriente de cortocircuito. Sin embargo, la eficiencia final se ve influida por las identidades de la interfaz en la estructura multicapa.
Esta es una versión de prueba de citación de documentos de la Biblioteca Virtual Pro. Puede contener errores. Lo invitamos a consultar los manuales de citación de las respectivas fuentes.
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