Las capas atómicas de nitruro de boro hexagonal (h-BN) han atraído mucha atención como material potencial de dispositivos para futuras aplicaciones de nanoelectrónica, optoelectrónica y espintrónica. El objetivo de esta revisión es describir los trabajos recientes del estudio funcional de densidad de primeros principios sobre las capas de h-BN. Se muestran las propiedades físicas inducidas por la introducción de varios tipos de defectos en las capas de h-BN. Además, se discute la relación entre el tamaño del defecto, la deformación y las propiedades magnéticas y electrónicas.
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