La fotoconductividad es un fenómeno fundamental y muy aplicable a los dispositivos semiconductores basados en óxidos, y la presencia de defectos desempeña un papel importante en este mecanismo. Aquí presentamos una investigación basada en diferentes atmósferas y dependencias de la excitación luminosa (por encima y por debajo del bandgap) de láminas delgadas de óxido de zinc crecidas por pulverización-pirólisis. El ZnO crecido presenta una cola de Urbach representativa asociada a la presencia de niveles localizados en el bandgap. La respuesta de fotoconductividad y los tiempos de decaimiento se investigan para atmósferas de aire e inertes, así como en condiciones de vacío, con características significativas debidas a las condiciones de excitación luminosa. Las características observadas se explican en base a la fotodesorción de oxígeno cuando la excitación está por encima de la banda prohibida, mientras que este proceso se suprime cuando la excitación está por debajo de la banda prohibida.
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