El Cu2SnS3 es un material semiconductor de banda estrecha. Tiene propiedades ópticas y eléctricas adecuadas que lo convierten en una potencial capa absorbente de células solares. En este trabajo, se obtuvieron con éxito películas delgadas de Cu2SnS3 mediante la sulfuración de películas delgadas de CuSnS2 depositadas por sputtering de magnetrón de RF a temperaturas de 350-425°C durante 2 h en una atmósfera de sulfuro de hidrógeno y nitrógeno. Se investigó la influencia de la temperatura de sulfuración en las propiedades eléctricas y ópticas de las películas delgadas de Cu2SnS3. Los resultados experimentales muestran que las películas delgadas de Cu2SnS3 sulfuradas a una temperatura de 425°C presentan mejores propiedades que las demás. La movilidad y la resistividad de las películas de Cu2SnS3 son de 9 cm2/V-s y 3 Ω-cm, respectivamente. Y su brecha de banda óptica se estima en unos 1,77 eV.
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