Adoptamos un diodo láser (LD) de longitud de onda estabilizada con rejilla holográfica volumétrica (VHG) monomodo y longitud de onda única como LD de bombeo para un microchip láser Nd:YAG y Nd:YVO4 bombeado en el extremo que desarrollamos durante las operaciones de onda continua y pulsos. Se han obtenido mayores eficiencias óptico-ópticas y de pendiente durante el funcionamiento en CW que cuando se utiliza experimentalmente un LD VHG. La potencia láser de salida es insensible a la temperatura del LD cuando se utiliza un LD de longitud de onda estabilizada y puede permanecer estable y casi constante hasta que la temperatura del LD aumenta hasta 40°C. Se ha obtenido la eficiencia de conversión óptico-óptica mejorada de 58o del láser Nd:YVO4 y se ha calculado la potencia láser de salida durante el funcionamiento en onda continua y se ha comparado con los resultados experimentales. Se comprobó que la potencia láser de salida del láser Nd:YVO4 utilizando el LD estabilizado en longitud de onda VHG era más del doble que utilizando un LD sin VHG. Cuando aumenta la temperatura ambiente, la diferencia en la potencia del láser de salida debería ser grande. En el futuro, debería desarrollarse un láser de microchip bombeado en el extremo de bajo coste que no requiera un control de temperatura.
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