Las propiedades eléctricas, ópticas y estructurales de películas de CuInS2 preparadas por rocío químico sobre substratos de vidrio son reportadas. Las películas se prepararon a partir de una solución acuosa conteniendo cloruro de cobre, cloruro de indio y tiourea. Esta solución se roció sobre substratos de vidrio a temperatura controlada, en un intervalo de 350-500°C.
Las películas obtenidas son de conductividad tipo p y su resistividad eléctrica alcanza valores mínimos de 0.15 W-cm.
El ancho de la banda de energía prohibida es del orden de 1.4 eV y su estructura presenta alta orientación en la dirección cristalográfica.
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