El Cu2O se considera prometedor como material de la capa absorbente de las células solares, pero su brecha de banda (unos 2,1 eV) es mayor que la óptima (unos 1,5 eV). El CuO tiene una separación de banda menor, de unos 1,35 eV. Por lo tanto, intentamos oxidar el Cu2O utilizando H2O2 para aumentar la proporción de oxígeno y reducir la brecha de banda. Se depositaron películas finas de Cu2O sobre vidrio recubierto de óxido de indio y estaño a partir de una solución acuosa que contenía CuSO4, ácido láctico y KOH mediante deposición electroquímica galvanostática a 40°C con una densidad de corriente de -1 mA/cm2. A continuación, la película fina de óxido de cobre preparada se sumergió en H2O2 (30%) a temperatura fija para oxidarla durante algún tiempo. Mediante el tratamiento con H2O2 a temperatura ambiente, aumentó el contenido de oxígeno y disminuyó la brecha de banda.
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