Se propone un esquema de activación de sustrato y puerta que utiliza el principio de umbral dinámico para una estructura ESD NMOS. Este esquema mejora el rendimiento de la fiabilidad del dispositivo en términos de una segunda corriente de ruptura más alta y una tensión de retención/tensión de disparo reducida, así como la eliminación del efecto de sobreimpulsión de la puerta. La resistencia simple y la estructura NMOS de activación de sustrato y compuerta RC con varios valores de resistencia/capacitancia muestran una fiabilidad ESD superior a la de los dispositivos NMOS con compuerta conectada a tierra (GGNMOS) en un 18~29%. El esquema de activación de sustrato y compuerta en combinación con estilos especiales de captación de sustrato también muestra una excelente mejora en comparación con los casos de GGNMOS de los mismos estilos de captación. El NMOS de activación de sustrato y puerta con estilo de recogida de sustrato a tope es mejor que el caso general a tope en un 28~30%, mientras que el NMOS de activación de sustrato y puerta con estilo de recogida de sustrato insertado es 3,5 veces superior al caso general insertado.
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